Blaenoriaeth ar gyfer Gronynnau SiC 1-5mm:
Dadocsidiad/gostyngiad cyflym, unffurf (ee, brechiad haearn hydwyth o ansawdd uchel).
Mae angen ffwrneisi llai neu unffurfiaeth toddi uchel.
Gwell pacio/llenwi castables neu glytiau anhydrin.
Osgoi gor-adwaith lleol o ronynnau mawr.
Blaenoriaeth ar gyfer Gronynnau SiC 1-10mm:
Large furnaces (>10 tunnell) - rhyddhau Si/C arafach, wedi'i reoli.
Cymwysiadau cost-sensitif gydag anghenion unffurfiaeth is.
Agreg bras mewn gwrthsafol ar gyfer cryfder uwch.
Defnyddir y ddau yn eang:Mae'r rhan fwyaf o blanhigion yn stocio'r ddau faint ac yn newid yn seiliedig ar ffwrnais, aloi, a cham proses. Yr un graddau purdeb ar gael.
Graddau amrywiol o garbid silicon a chynhyrchion metelegol eraill
